Dva základní teoretické modely elektronové magnetorezistence elektricky vodivé mezoskopické tenké vrstvy

0312472 - FZÚ 2009 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Pospíšil, Jaroslav - Pluháček, F.
Dva základní teoretické modely elektronové magnetorezistence elektricky vodivé mezoskopické tenké vrstvy.
[Two basic theoretical models of the electronic magnetoresistance of an electrically conductive mesoscopic thin layer.]
Jemná mechanika a optika. Roč. 53, 7-8 (2008), 204-208. ISSN 0447-6441
Grant CEP: GA AV ČR KAN301370701
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100522
Klíčová slova: elektronic magnetoresistance * mesoscopic layer
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery

V tomto článku je diskutován vliv homogenního magnetostatického pole na přenos elektronů v homogenní elektricky vodivé kovové nebo polovodičové mezoskopické tenké vrstvě.

The influence of a homogeneous megnetostatic field to the transfer of electrons in an homogeneous electrically conductive metallic or semiconductors mesoscopic thin layer is discussed in this article.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163531