Počet záznamů: 1
Growth and properties of InAs/In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As/GaAs quantum dot structures
- 1.
SYSNO ASEP 0308047 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures Překlad názvu Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 310, 7-9 (2008), s. 2229-2233Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova nanostructures ; metalorganic vapor-phase epitaxy ; semiconducting III–V materials Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KJB101630601 GA AV ČR - Akademie věd IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/05/0242 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) DOI 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.055 Anotace Single- and double-layer InAs/GaAs quantum dot structures with strain-reducing layers (SRLs) were prepared by metalorganic vaporphase epitaxy using the Stranski–Krastanow growth mode. Structures were studied in-situ by reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), and ex-situ by photoluminescence (PL). These structures, with very intense room temperature PL at wavelengths from 1.25 to 1.55 μm according to growth and structure parameters, were grown along while monitored with RAS. Strong correlation between RAS signal and PL intensity was found. Dependence of PL emission maximum position on SRL composition and capping layer thickness is shown. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2008
Počet záznamů: 1