Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

0050991 - ÚPT 2007 cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Mika, Filip
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů.
[Quantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission.]
PDS 2006 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronová optika. Brno: ÚPT AV ČR, 2006, s. 33-36. ISBN 80-239-7957-4.
[PDS 2006. Brno (CZ), 19.12.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: semiconductor structure * doping density * contrast
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Práce je zaměřena na studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.

The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0140993