Počet záznamů: 1  

Large imprint in epitaxial 0.67Pb(Mg.sub.1/3./sub.Nb.sub.2/3./sub.)O.sub.3./sub.-0.33PbTiO.sub.3./sub. thin films for piezoelectric energy harvesting applications

  1. 1.
    SYSNO ASEP0564640
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevLarge imprint in epitaxial 0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3 thin films for piezoelectric energy harvesting applications
    Tvůrce(i) Belhadi, J. (FR)
    Hanani, Z. (SI)
    Shepelin, N.A. (CH)
    Bobnar, V. (SI)
    Koster, G. (SI)
    Hlinka, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Pergolesi, D. (CH)
    Lippert, T. (CH)
    El Marssi, M. (FR)
    Spreitzer, M. (SI)
    Celkový počet autorů10
    Číslo článku182903
    Zdroj.dok.Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
    Roč. 121, č. 21 (2022)
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovarelaxor ferroelectrics ; piezoelectric ; energy harvesting ; thin films ; PMN-PT
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Způsob publikováníOmezený přístup
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000886108300003
    EID SCOPUS85143422260
    DOI10.1063/5.0115777
    AnotaceTuning and stabilizing a large imprint in epitaxial relaxor ferroelectric thin films is one of the key factors for designing micro-electromechanical devices with an enhanced figure of merit (FOM). The PMN–33PT is observed to grow coherently on SSO substrates and exhibits large tetragonality compared to bulk PMN–33PT, while on DSO substrates (lattice mismatch of −1.9%), the PMN–33PT film is almost completely relaxed and shows reduced tetragonality. Due to the compressive epitaxial strain, the fully strained PMN–33PT film displays typical ferroelectric P–E hysteresis loops, while the relaxed sample shows relaxor-like P–E loops. The studied PMN–33PT films hold great promise to maximize the FOM toward applications in piezoelectric devices.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2023
    Elektronická adresahttps://doi.org/10.1063/5.0115777
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.