Počet záznamů: 1
Multiple-stable anisotropic magnetoresistance memory in antiferromagnetic MnTe
- 1.
SYSNO ASEP 0463261 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Multiple-stable anisotropic magnetoresistance memory in antiferromagnetic MnTe Tvůrce(i) Kriegner, D. (CZ)
Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
Reichlová, Helena (FZU-D) RID, ORCID
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Martí, Xavier (FZU-D) RID, ORCID
Gazquez, J. (ES)
Saidl, V. (CZ)
Němec, P. (CZ)
Volobuev, V.V. (AT)
Springholz, G. (AT)
Holý, V. (CZ)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDČíslo článku 11623 Zdroj.dok. Nature Communications. - : Nature Publishing Group
Roč. 7, Jun (2016), 1-7Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova antiferromagnets ; spintronics ; anisotropic magnetoresistance Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA15-13436S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GB14-37427G GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000377909800001 EID SCOPUS 84973594552 DOI 10.1038/ncomms11623 Anotace We demonstrate a multiple-stable memory device in epitaxial manganese telluride (MnTe) which is an antiferromagnetic counterpart of common II-VI semiconductors. Favorable micromagnetic characteristics of MnTe allow us to demonstrate a smoothly varying antiferromagnetic anisotropic magnetoresistance (AMR) with a harmonic angular dependence on the applied magnetic field, analogous to ferromagnets.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1