Počet záznamů: 1
Influence of gas chemistry on Si-V color centers in diamond films
- 1.
SYSNO ASEP 0454703 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Influence of gas chemistry on Si-V color centers in diamond films Tvůrce(i) Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
Roč. 252, č. 11 (2015), s. 2580-2584Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova chemical vapor deposition ; diamond ; photoluminescence ; plasma ; silicon optical centers Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA14-04790S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000364690400038 EID SCOPUS 84946423209 DOI 10.1002/pssb.201552222 Anotace We studied the influence of process parameters on the incorporation and optical activity of the silicon vacancy (Si-V) zero phonon line (ZPL) in diamond films. The ZPL intensity at 738nm is studied in nano- and micro-crystalline diamond films deposited by MWCVD as a function of a substrate temperature, gas composition, i.e. CO2 and N2 concentrations in the gas mixture. We found that the ZPL intensity of Si-V center is independent in a broad deposition temperature range from 450°C to 1100°C with a full width of half maxima (FWHM) of 6 nm. For the lowest deposition temperature (350°C), the ZPL intensity decreases and the FWHM doubles. The Si-V center ZPL vanished for admixtures of 1% CO2 or 2.5% of N2 and higher in the gas mixture. For smaller concentrations, the ZPL intensity gradually decreased while keeping the ZPL peak position and FWHM constant. The influence of CO2 and N2 addition on the diamond morphology is also discussed with respect to the presence of Si-V centers. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1