Počet záznamů: 1
Fabrication of SnS quantum dots for solar-cell applications: issues of capping and doping
- 1.
SYSNO ASEP 0432332 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Fabrication of SnS quantum dots for solar-cell applications: issues of capping and doping Tvůrce(i) Rath, J.K. (NL)
Prastani, C. (NL)
Nanu, D.E. (NL)
Nanu, M. (NL)
Schropp, R.E.I. (NL)
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Hývl, Matěj (FZU-D) ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
Roč. 251, č. 7 (2014), s. 1309-1321Poč.str. 13 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova chalcogenides ; chemical bath deposition ; core-shell particles ; quantum dots ; solar cells ; tin sulfide Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-25747S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000339665200003 EID SCOPUS 84904060362 DOI 10.1002/pssb.201350377 Anotace We present our recent study on SnS particles in the backdrop of significant developements that have taken place so far for which a review of the present status of this material, its structural, optical, electronic characteristics, and device performence is described. To further improve the performance of low-cost chalcogenide-based solar cells, we propose to employ a third-generation solar cells fabrication scheme, where an intermediate bandgap layer can be incorporated in a CIS solar cell to increase its current generation and efficiency. For this purpose SnS quantum dots (QD) embedded indium sulfide layer is developed. We address how to cap the QD surface for defect passivation and protection from ambient and the doping nature of the particles. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1