Počet záznamů: 1
Silicon nanocrystals as light sources: stable, efficient and fast photoluminescence with suitable passivation
- 1.
SYSNO ASEP 0389613 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Silicon nanocrystals as light sources: stable, efficient and fast photoluminescence with suitable passivation Tvůrce(i) Kůsová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCID Zdroj.dok. International Journal of Nanotechnology - ISSN 1475-7435
Roč. 9, 8/9 (2012), s. 717-731Poč.str. 15 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova silicon nanocrystals ; surface passivation ; photoluminescence ; lasing Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA101120804 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KJB100100903 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000303800500005 DOI 10.1504/IJNT.2012.046750 Anotace In this contribution, we present a study of silicon nanocrystals as light sources. We compare the photoluminescence properties of silicon nanocrystals with three different types of surface passivation (hydrogen, silicon oxide and methyl-based capping), which has substantial impact. We show that with sufficiently small sizes and suitable surface passivation, the photoluminescence properties of silicon nanocrystals can reach a level comparable with direct-bandgap semiconductor nanocrystals (radiative lifetime of 10 ns, stable macroscopic quantum yield of 20%). Apart from studying photoluminescence properties on a macroscopic level, we also carried out microscopical room-temperature single-nanocrystal photoluminescence spectroscopy experiments. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1