Počet záznamů: 1
Graphite/InP and graphite/GaN Schottky barrier hydrogen sensors with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles
- 1.
SYSNO ASEP 0387292 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Graphite/InP and graphite/GaN Schottky barrier hydrogen sensors with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y) Celkový počet autorů 1 Zdroj.dok. Nanoscale Research Letters. - : Springer - ISSN 1931-7573
Roč. 7, č. 415 (2012), s. 4151-4156Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova semiconductor devices ; nanostructures ; sensors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP OC10021 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 UT WOS 000309664500001 DOI 10.1186/1556-276X-7-415 Anotace By applying colloidal graphite, we prepared Schottky contacts on polished n-InP and on n-GaN wafers partly covered electrophoretically with nanoparticles of catalytic metals Pd or Pt. The nanoparticles were imaged by SEM, AFM and STM. Schottky barrier heights were virtually equal to energy of vacuum level alignments between InP or GaP and Pd or Pt (Schottky-Mott limits) - a good precondition for high sensitivity to hydrogen. Indeed, high sensitivity to hydrogen, with the detection limit below 1 ppm was proved Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1