Počet záznamů: 1
Deposition of Germanium Nanowires from Digermane Precursor: Influence of the Substrate Pretreatment
- 1.
SYSNO ASEP 0330695 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Název Deposition of Germanium Nanowires from Digermane Precursor: Influence of the Substrate Pretreatment Překlad názvu Depozice germaniových nanodrátů z digermánu: Vliv úpravy substrátu Tvůrce(i) Dřínek, Vladislav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Šubrt, Jan (UACH-T) SAI, RID
Klementová, Mariana (UACH-T) RID, SAI, ORCIDZdroj.dok. Meeting Abstracts. - - : -, 2009 - ISBN N Rozsah stran abs.2621 Poč.str. 1 s. Forma vydání CD-ROM - CD-ROM Akce ECS Meeting /216./ Datum konání 04.10.2009-09.10.2009 Místo konání Vienna Země AT - Rakousko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. AT - Rakousko Klíč. slova microelectronic circuits ; nanoscale technology Vědní obor RIV CH - Jaderná a kvantová chemie, fotochemie CEP GA203/09/1088 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z40720504 - UCHP-M (2005-2011) AV0Z40320502 - UACH-T (2005-2011) Anotace Germanium Nanowires (GeNWs) were synthesized by Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) of hexamethyldigermane (GeMe3)2 at temperature of 490 {degree sign}C and pressure of 90-100 Pa. GeNWs of several nanometers in diameter and a few microns in length were deposited onto various substrates - stainless steel, Fe, Mo, Ta, W, Si, and SiO2. Influence of surface pretreatment of the substrates (roughening of surface or Ge sputtering) is discussed in respect to the previously published theory of GeNW growth through the intermetallic alloy mechanism. The results conclude that another mechanism should be taken into account - the non-catalyst mechanism. Ge seeds necessary for triggering GeNW growth are formed by aggregation of Ge atoms/atom clusters/fragments which are stuck onto the substrate surface at the beginning of the process. The non-catalyst growth of GeNW triggered by such mechanism can be applied in growing GeNWs on semiconductors and insulators. Pracoviště Ústav chemických procesů Kontakt Eva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1