Počet záznamů: 1
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO 0318588 Název Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots Překlad názvu Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova atomic force microscopy * nanostructures * low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy * semiconducting III–V materials Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0167961
Počet záznamů: 1