Počet záznamů: 1
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO ASEP 0318588 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots Překlad názvu Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova atomic force microscopy ; nanostructures ; low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy ; semiconducting III–V materials Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000262019400090 DOI 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.011 Anotace We have studied the effect of GaAs capping layer growth rate on the quantum dot (QD) properties. It was found that higher growth rate of capping layer decreases the dissolution of In atoms from QDs. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1