Počet záznamů: 1
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
SYS 0318588 LBL 01969^^^^^2200397^^^450 005 20240103191043.8 014 $a 000262019400090 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.011 $2 DOI 100 $a 20090417d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084 $1 210 $c Elsevier 541 1-
$a Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE $z cze 610 0-
$a atomic force microscopy 610 0-
$a nanostructures 610 0-
$a low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 610 0-
$a semiconducting III–V materials 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1