Počet záznamů: 1
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
- 1.Hospodková, A., Pangrác, J., Oswald, J., Hulicius, E., Kuldová, K., Vyskočil, J., Melichar, K., Šimeček, T. Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots. Journal of Crystal Growth. 2008, 310(23), 5081-5084. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.011
Počet záznamů: 1