Počet záznamů: 1
Role of rare earth elements in growth process of InP LPE layers
- 1.
SYSNO ASEP 0303869 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Role of rare earth elements in growth process of InP LPE layers Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Žďánský, Karel (URE-Y)Rok vydání 2001 Zdroj.dok. Poster 2001. Book of Extended Abstract
s. NS16.1-NS16.2Poč.str. 2 s. Akce International Student Conference on Electrical Engineering /5./ Druh akce K - Konference Datum konání 24.05.2001 Místo konání Prague Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova liquid phase epitaxial growth ; rare earth compounds ; III-V semiconductors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace Rare earth elements (REE) addition to the growth melt during the InP LPE growth process leads to gettering of shallow impurities and is considerably effected by REE concentrations. As a consequence, concentration of shallow donors was decreased by up to three orders of magnitude and PL spectra were markedly narrowed. The dislocation density was reduced by a half order of magnitude. Yb ions were incorporated into the InP host lattice. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1