Počet záznamů: 1  

Role of rare earth elements in growth process of InP LPE layers

  1. 1.
    SYSNO ASEP0303869
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVZáznam nebyl označen do RIV
    Zařazení RIVNení vybrán druh dokumentu
    NázevRole of rare earth elements in growth process of InP LPE layers
    Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
    Procházková, Olga (URE-Y)
    Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
    Žďánský, Karel (URE-Y)
    Rok vydání2001
    Zdroj.dok.Poster 2001. Book of Extended Abstract
    s. NS16.1-NS16.2
    Poč.str.2 s.
    AkceInternational Student Conference on Electrical Engineering /5./
    Druh akceK - Konference
    Datum konání24.05.2001
    Místo konáníPrague
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovaliquid phase epitaxial growth ; rare earth compounds ; III-V semiconductors
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    CEPGA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR
    KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z2067918 - URE-Y
    AnotaceRare earth elements (REE) addition to the growth melt during the InP LPE growth process leads to gettering of shallow impurities and is considerably effected by REE concentrations. As a consequence, concentration of shallow donors was decreased by up to three orders of magnitude and PL spectra were markedly narrowed. The dislocation density was reduced by a half order of magnitude. Yb ions were incorporated into the InP host lattice.
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2002

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.