Počet záznamů: 1  

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

  1. 1.
    SYSNO0109114
    NázevKvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
    Překlad názvuQuantitative Study of Dopant Distribution in a Semiconductor Using Secondary Electron Emission
    Tvůrce(i) Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Zdroj.dok.PDS 2003 - Sborník prací doktorandů prezentovaných na Semináři oddělení Elektronové optiky na počátku roku 2004. s. 39 - 42. - Brno : Ústav přístrojové techniky, 2004 / Müllerová I.
    Konference PDS 2003 Seminář doktorandů oboru Elektronová optika, Brno, 30.01.2004
    Druh dok.Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
    Grant KJB2065301 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z2065902 - UPT-D
    Jazyk dok.cze
    Země vyd.CZ
    Klíč.slova Secondary Electron Emission * Dopant Distribution * Semiconductors
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0016226
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.