Počet záznamů: 1
Growth of nanocrystalline diamond on gallium oxide using various interlayers
- 1.
SYSNO ASEP 0575292 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Growth of nanocrystalline diamond on gallium oxide using various interlayers Tvůrce(i) Ťapajna, M. (SK)
Keshtkar, J. (SK)
Szabó, Ondrej (FZU-D) ORCID, RID
Shagieva, Ekaterina (FZU-D) ORCID
Hušeková, K. (SK)
Dobročka, E. (SK)
Fedor, J. (SK)
Dérek, J. (SK)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Gucmann, F. (SK)Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT - ADEPT 2023. - Žilina : University of Žilina, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč, jr. J. - ISBN 978-80-554-1977-0 Rozsah stran s. 28-31 Poč.str. 4 s. Forma vydání Online - E Akce International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies /11./ - ADEPT 2023 Datum konání 12.06.2023 - 15.06.2023 Místo konání Podbanské Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova Ga2O3 ; diamond ; hetero-integration ; CVD ; MOCVD ; pn heterojunction Obor OECD Materials engineering Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Hetero-integration of Ga2O3 and diamond is an intriguing approach for processing of pn diodes with enhanced thermal properties. In this work, we investigated the growth of nanocrystalline diamond films using microwave plasma CVD on monoclinic beta Ga2O3, which was grown by liquid-injection metal-organic CVD on sapphire employing various interlayers. It was found that the use of an ultrathin SiO2 interlayer (~20 nm) yields highly promising results although optimization of the conditions for AlN deposition is necessary. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2024
Počet záznamů: 1