Počet záznamů: 1
Synthesis and physical properties of uranium thin-film hydrides UH.sub.2./sub. and UH.sub.3./sub.
- 1.
SYSNO ASEP 0574607 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Synthesis and physical properties of uranium thin-film hydrides UH2 and UH3 Tvůrce(i) Tereshina-Chitrova, Evgenia (FZU-D) ORCID
Havela, L. (CZ)
Paukov, M. (CZ)
Koloskova, O. (CZ)
Horák, L. (CZ)
Dopita, M. (CZ)
Celis, M.M. (CZ)
Cieslar, M. (CZ)
Šobáň, Zbyněk (FZU-D) RID, ORCID
Gouder, T. (DE)
Huber, F. (DE)Celkový počet autorů 11 Číslo článku 139860 Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 775, June (2023)Poč.str. 11 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova uranium hydrides films ; UH2 ; UH3 ; ferromagnetic U-hydrides ; reactive sputtering ; X-ray photoelectron spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA21-09766S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2018096 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 001001103300001 EID SCOPUS 85154610089 DOI 10.1016/j.tsf.2023.139860 Anotace Formation of thin uranium hydrides films, UH2 and UH3, synthesized by direct current reactive sputtering of a uranium metal in an Ar-H2 atmosphere, was explored using variable deposition conditions. Obtained U-H films were studied by a variety of methods, both in situ (photoelectron spectroscopy) and ex situ (x-ray diffraction, transmission electron microscopy, electrical resistivity, and magnetometry). Preparation of thin films allowed us to stabilize the non-existent in bulk UH2 phase as well as the transient α-UH3 (as a residual phase in UH2) and the common stable β-UH3 phase. All types of hydrides are ferromagnetic, the Curie temperatures of UH2 and UH3 (both α and β) are approx. 120 and 170 K, respectively. Ferromagnetism in the thin films is robust and does not depend on structure details while electrical resistivity data reflect disorder in both types of hydrides. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2024 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.tsf.2023.139860
Počet záznamů: 1