InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0563785
Název	InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors
Tvůrce(i)	Liao, L. (CZ) Wu, B. (CZ) Kovalska, E. (CZ) Oliveira, F.M. (CZ) Azadmanjiri, J. (CZ) Mazánek, V. (CZ) Valdman, L. (CZ) Spejchalova, L. (CZ) Xu, C.Y. (CN) Levinský, Petr (FZU-D)_{RID, ORCID} Hejtmánek, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Sofer, Z. (CZ)
Zdroj.dok.	Nanoscale. Roč. 14, č. 14 (2022), s. 5412-5424. - : Royal Society of Chemistry
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GA18-12761S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	GB
Klíč.slova	indium selenide * 2D materials * photoelectrochemical measurements
Trvalý link	https://hdl.handle.net/11104/0335592

Počet záznamů: 1