Počet záznamů: 1
InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors
- 1.
SYSNO ASEP 0563785 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors Tvůrce(i) Liao, L. (CZ)
Wu, B. (CZ)
Kovalska, E. (CZ)
Oliveira, F.M. (CZ)
Azadmanjiri, J. (CZ)
Mazánek, V. (CZ)
Valdman, L. (CZ)
Spejchalova, L. (CZ)
Xu, C.Y. (CN)
Levinský, Petr (FZU-D) RID, ORCID
Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Sofer, Z. (CZ)Celkový počet autorů 12 Zdroj.dok. Nanoscale. - : Royal Society of Chemistry - ISSN 2040-3364
Roč. 14, č. 14 (2022), s. 5412-5424Poč.str. 13 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova indium selenide ; 2D materials ; photoelectrochemical measurements Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA18-12761S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000772122400001 EID SCOPUS 85127656929 DOI 10.1039/d1nr07150e Anotace Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials with tunable heterostructures and superior optoelectronic properties have opened a new platform for various applications, e.g., field-effect transistors, ultrasensitive photodetectors and photocatalysts. In this work, an InSe/InSe(Ge) (germanium doped InSe) vdW heterostructure is designed to improve the photoresponse performance of sole InSe in a photoelectrochemical (PEC)-type photodetector. Photoelectrochemical measurements demonstrated that this heterostructure has excellent photoresponse characteristics, including a photocurrent density of 9.8 μA cm-2, a photo-responsivity of 64 μA W-1, and a response time/recovery time of 0.128 s/0.1 s. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https.//doi.org/10.1039/d1nr07150e
Počet záznamů: 1