Počet záznamů: 1  

InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors

  1. 1.
    SYSNO ASEP0563785
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevInSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors
    Tvůrce(i) Liao, L. (CZ)
    Wu, B. (CZ)
    Kovalska, E. (CZ)
    Oliveira, F.M. (CZ)
    Azadmanjiri, J. (CZ)
    Mazánek, V. (CZ)
    Valdman, L. (CZ)
    Spejchalova, L. (CZ)
    Xu, C.Y. (CN)
    Levinský, Petr (FZU-D) RID, ORCID
    Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Sofer, Z. (CZ)
    Celkový počet autorů12
    Zdroj.dok.Nanoscale. - : Royal Society of Chemistry - ISSN 2040-3364
    Roč. 14, č. 14 (2022), s. 5412-5424
    Poč.str.13 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovaindium selenide ; 2D materials ; photoelectrochemical measurements
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGA18-12761S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Způsob publikováníOmezený přístup
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000772122400001
    EID SCOPUS85127656929
    DOI10.1039/d1nr07150e
    AnotaceTwo-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials with tunable heterostructures and superior optoelectronic properties have opened a new platform for various applications, e.g., field-effect transistors, ultrasensitive photodetectors and photocatalysts. In this work, an InSe/InSe(Ge) (germanium doped InSe) vdW heterostructure is designed to improve the photoresponse performance of sole InSe in a photoelectrochemical (PEC)-type photodetector. Photoelectrochemical measurements demonstrated that this heterostructure has excellent photoresponse characteristics, including a photocurrent density of 9.8 μA cm-2, a photo-responsivity of 64 μA W-1, and a response time/recovery time of 0.128 s/0.1 s.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2023
    Elektronická adresahttps.//doi.org/10.1039/d1nr07150e
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.