Počet záznamů: 1  

Growth and comparison of high-quality MW PECVD grown B doped diamond layers on {118}, {115} and {113} single crystal diamond substrates

  1. 1.
    SYSNO0556013
    NázevGrowth and comparison of high-quality MW PECVD grown B doped diamond layers on {118}, {115} and {113} single crystal diamond substrates
    Tvůrce(i) Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
    Baluchová, Simona (FZU-D) ORCID
    Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
    Klimša, Ladislav (FZU-D) ORCID
    Kopeček, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
    Šimek, Daniel (FZU-D) RID, ORCID
    Vondráček, Martin (FZU-D) RID, ORCID
    Míka, L. (CZ)
    Fischer, J. (CZ)
    Schwarzová-Pecková, K. (CZ)
    Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
    Korespondující/seniorTaylor, Andrew - Korespondující autor
    Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. Roč. 123, Mar (2022). - : Elsevier
    Číslo článku108815
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GA20-03187S GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
    CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
    EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.CH
    Klíč.slova single crystal diamond * boron-doping level * crystallographic orientation * electron transfer kinetics * Surface/chemical analysis
    URLhttps://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108815
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0330378
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.