Počet záznamů: 1
Si3Nx fázová destička
- 1.
SYSNO ASEP 0550697 Druh ASEP L - Prototyp, funkční vzorek Zařazení RIV G - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek) Poddruh RIV Funkční vzorek Název Si3Nx fázová destička Překlad názvu Si3Nx phase plates Tvůrce(i) Sháněl, O. (CZ)
Schneider, M. (CZ)
Materna Mikmeková, Eliška (UPT-D) ORCID, RID, SAI
Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
Podstránský, Jáchym (UPT-D)
Radlička, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAIRok vydání 2021 Int.kód APL-2021-05 Technické parametry Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu. Rozměr (Okénko v křemíkovém čipu) membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Tloušťka membrány je optimalizovaná tak, aby v posouvala fázi procházejícího svazku o pi/2. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm a ve středu clonky je malý otvor o rozměrech v jednotkách µm, který byl vytvořen pomoci FIB/SEM, tak aby odpovídal velikosti nultého řádu difrakce v zadní objektivové rovině. Ekonomické parametry Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D., radlicka@isibrno.cz. Název vlastníka Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i., ThermoFisher Scientific Brno, s.r.o. IČ vlastníka 68081731 Kat.výsl.dle nákl. A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Požad. na licenč. popl. Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek Číselná identifikace APL-2021-05 Jazyk dok. cze - čeština Země vlastníka CZ - Česká republika Klíč. slova transmission electron microscopy ; phase plate ; silicon nitride ; thin layers Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Obor OECD Electrical and electronic engineering CEP TN01000008 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 Anotace Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip připevněný na platinovou nebo zlatou clonku, která zároveň odstiňuje nežádoucí elektrony. Ve středu membrány je vytvořený otvor (pomocí technologie FIB/SEM), tak abychom zajistili, že nulový difrakční řád projde fázovou destičkou bez změny fáze. Překlad anotace Silicon nitride phase plate serves as a phase shift element for high-energy electrons. Silicon is a supporting substrate for a thin membrane that is glued to a platinum or gold aperture. The aperture eliminates unwanted electrons. We made a micrometer size hole in the middle of the membrane (we used FIB/SEM technology) to guarantee that the phase of zero-order of the diffraction is not changed. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2022
Počet záznamů: 1