Počet záznamů: 1
Growth and properties of diamond films prepared on 4-inch substrates by cavity plasma systems
- 1.
SYSNO ASEP 0542446 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Growth and properties of diamond films prepared on 4-inch substrates by cavity plasma systems Tvůrce(i) Babčenko, Oleg (FZU-D) ORCID
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Aubrechtová Dragounová, Kateřina (FZU-D) ORCID
Szabó, Ondrej (FZU-D) ORCID, RID
Bergonzo, P. (US)
Rezek, B. (CZ)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 7 Zdroj.dok. Proceedings 12th International Conference on Nanomaterials - Research & Application - Nanocon 2020. - Ostrava : Tanger Ltd., 2021 - ISSN 2694-930X - ISBN 978-80-87294-98-7 Rozsah stran s. 86-92 Poč.str. 7 s. Forma vydání Online - E Akce International Conference NANOCON 2020 /12./ Datum konání 21.10.2020 - 23.10.2020 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova large area diamond ; microwave cavity plasma ; high-power density plasma Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Coating and films CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000664505500014 EID SCOPUS 85106046926 DOI 10.37904/nanocon.2020.3701 Anotace We compare two microwave (2.45 GHz) plasma systems with ellipsoidal and multimode clamshell cavity for diamond synthesis by chemical vapor deposition. We use H2/CH4/CO2 gas mixture for diamond film deposition on Si 100 wafers. Both systems are capable of high pressure (up to 20 kPa) operation and high growth rates (several µm/h). We compare the cavity systems from the point of diamond quality (Raman shift measurement), substrate size (2” versus 4”) and grown film homogeneity together with surface morphology (SEM), deposition rate and parasitic doping levels (photoluminescence). Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022
Počet záznamů: 1