Počet záznamů: 1
Low and Ultra-low Energy Scanning Electron Microscopy of 2D Transition Metal Dichalcogenides: Experiments and Simulations
- 1.
SYSNO ASEP 0493331 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Low and Ultra-low Energy Scanning Electron Microscopy of 2D Transition Metal Dichalcogenides: Experiments and Simulations Tvůrce(i) Mikmeková, Eliška (UPT-D) RID
Paták, Aleš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Daniel, Benjamin (UPT-D) RID
Konvalina, Ivo (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Řiháček, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID
Zouhar, Martin (UPT-D) ORCID, RID, SAI
Zaporozchenko, A. (DE)
Lejeune, M. (FR)Celkový počet autorů 10 Zdroj.dok. Microscopy and Microanalysis. - : Cambridge University Press - ISSN 1431-9276
Roč. 24, S1 (2018), s. 1564-1565Poč.str. 2 s. Forma vydání Tištěná - P Akce Microscopy & Microanalysis 2018 Meeting Datum konání 05.08.2018 - 09.08.2018 Místo konání Baltimore Země US - Spojené státy americké Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova low and ultra-low energy ; SEM ; 2D transition metal dichalcogenides ; experiments and simulations Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Obor OECD Nano-materials (production and properties) CEP TE01020118 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 DOI 10.1017/S1431927618008309 Anotace Two-dimensional (2D) materials have attracted huge interest since isolating of free-standing graphene. The reason is their interesting properties and promising potential applications. Scanning electron microscopy with slow and very slow electrons offers an innovative tool enabling to study 2D materials in detail. In order to examine mutually overlapped flakes of two-dimensional crystals such as 2D transition metal dichalcogenides with an electron microscope we need to obtain a contrast contribution from a single layer of atoms. This task requires increasing the scattering rate of incident electrons by means of a drastic lowering of their energy to hundreds of eV or less. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1