Počet záznamů: 1
Study of Nucleation and Early Growth of Diamond on GaN
- 1.
SYSNO ASEP 0434718 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Study of Nucleation and Early Growth of Diamond on GaN Tvůrce(i) Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Vanko, G. (SK)
Vojs, Marian (FZU-D)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. NANOCON 2014 Conference Proceedings. - Ostrava : Tanger, 2014 - ISBN 978-80-87294-55-0 Poč.str. 1 s. Akce International Conference NANOCON /6./ Datum konání 05.11.2014-07.11.2014 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova diamond films ; MWCVD ; GaN membranes ; c-HEMT ; heterostructures Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GP14-16549P GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace In this study we investigate the diamond growth on GaN substrates by microwave plasma CVD. We show that using a proper gas mixture is crucial a technological factor to keep the functionality of GaN HEMT devices. Addition of CO2 and N2 to CH4/H2 gas mixture is used to minimize damaging of GaN substrate. We also found that the gas mixture control the diamond morphology from nano- to polycrystalline character. Simultaneous study focuses on the diamond growth on GaN membranes. In this case, diamond nucleation is the most limiting technological step due to low mechanical stability of GaN membranes. We observed that standard nucleation techniques (ultrasonic seeding or bias enhanced nucleation) caused cracking of the membranes or not appropriate nucleation efficiency in the Z-depth of structures. Therefore we implemented PVA polymer consisting of diamond powder as seeding composite which resulted in a successful growth of diamond thin film. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1