Universal radiative lifetimes in the long-lived luminescence of Si quantum dots

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0577360
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Universal radiative lifetimes in the long-lived luminescence of Si quantum dots
Tvůrce(i)	Popelář, Tomáš (FZU-D)_ORCID Galář, Pavel (FZU-D)_ORCID Matějka, Filip (FZU-D) Morselli, G. (IT) Ceroni, P. (IT) Kůsová, Kateřina (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	6
Zdroj.dok.	Journal of Physical Chemistry C. - : American Chemical Society - ISSN 1932-7447 Roč. 127, č. 41 (2023), s. 20426-20437
Poč.str.	12 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	silicon quantum dots ; internal quantum yield ; photoluminescence lifetime
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP	GA23-05837S GA ČR - Grantová agentura ČR
Způsob publikování	Open access
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	001079016900001
EID SCOPUS	85176085339
DOI	10.1021/acs.jpcc.3c05423
Anotace	We quantify the dependence of radiative lifetimes of long-lived photoluminescence of silicon quantum dots on the emission photon energy and show that the derived dependence is universal in silicon quantum dots regardless of the fabrication method.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2024
Elektronická adresa	https://hdl.handle.net/11104/0348594

Počet záznamů: 1