Počet záznamů: 1
Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Si/Ge multilayer structures
- 1.
SYSNO 0571963 Název Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Si/Ge multilayer structures Tvůrce(i) Bulgakov, Alexander (FZU-D) ORCID
Beránek, Jiří (FZU-D)
Volodin, V.A. (RU)
Cheng, Y. (RU)
Levy, Yoann (FZU-D)
Nagisetty, S.S. (DE)
Zukerstein, Martin (FZU-D) ORCID
Popov, A. A. (RU)
Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCIDKorespondující/senior Bulgakova, Nadezhda M. - Korespondující autor Zdroj.dok. Materials. Roč. 16, č. 9 (2023). - : MDPI Číslo článku 3572 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445, XE - země EU EF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. CH Klíč.slova silicon–germanium multilayer structures * thin films * ultrashort infrared laser annealing * selective crystallization * defect accumulation * Raman spectroscopy URL https://hdl.handle.net/11104/0342818 Trvalý link https://hdl.handle.net/11104/0342818 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0571963.pdf 0 11.6 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen
Počet záznamů: 1