Počet záznamů: 1
Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Si/Ge multilayer structures
- 1.
SYSNO ASEP 0571963 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Si/Ge multilayer structures Tvůrce(i) Bulgakov, Alexander (FZU-D) ORCID
Beránek, Jiří (FZU-D)
Volodin, V.A. (RU)
Cheng, Y. (RU)
Levy, Yoann (FZU-D)
Nagisetty, S.S. (DE)
Zukerstein, Martin (FZU-D) ORCID
Popov, A. A. (RU)
Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCIDCelkový počet autorů 9 Číslo článku 3572 Zdroj.dok. Materials. - : MDPI
Roč. 16, č. 9 (2023)Poč.str. 12 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova silicon–germanium multilayer structures ; thin films ; ultrashort infrared laser annealing ; selective crystallization ; defect accumulation ; Raman spectroscopy Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) CEP EF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000987318600001 EID SCOPUS 85159364096 DOI 10.3390/ma16093572 Anotace Silicon–germanium multilayer structures consisting of alternating Si and Ge amorphous nanolayers were annealed by ultrashort laser pulses at near-infrared (1030 nm) and mid-infrared (1500 nm) wavelengths. In this paper, we investigate the effects of the type of substrate (Si or glass), and the number of laser pulses (single-shot and multi-shot regimes) on the crystallization of the layers. Based on structural Raman spectroscopy analysis, several annealing regimes were revealed depending on laser fluence, including partial or complete crystallization of the components and formation of solid Si–Ge alloys. Conditions for selective crystallization of germanium when Si remains amorphous and there is no intermixing between the Si and Ge layers were found. Femtosecond mid-IR laser annealing appeared to be particularly favorable for such selective crystallization. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2024 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0342818
Počet záznamů: 1