Počet záznamů: 1  

Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Si/Ge multilayer structures

  1. 1.
    SYSNO ASEP0571963
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevUltrafast infrared laser crystallization of amorphous Si/Ge multilayer structures
    Tvůrce(i) Bulgakov, Alexander (FZU-D) ORCID
    Beránek, Jiří (FZU-D)
    Volodin, V.A. (RU)
    Cheng, Y. (RU)
    Levy, Yoann (FZU-D)
    Nagisetty, S.S. (DE)
    Zukerstein, Martin (FZU-D) ORCID
    Popov, A. A. (RU)
    Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCID
    Celkový počet autorů9
    Číslo článku3572
    Zdroj.dok.Materials. - : MDPI
    Roč. 16, č. 9 (2023)
    Poč.str.12 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovasilicon–germanium multilayer structures ; thin films ; ultrashort infrared laser annealing ; selective crystallization ; defect accumulation ; Raman spectroscopy
    Vědní obor RIVBH - Optika, masery a lasery
    Obor OECDOptics (including laser optics and quantum optics)
    CEPEF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000987318600001
    EID SCOPUS85159364096
    DOI10.3390/ma16093572
    AnotaceSilicon–germanium multilayer structures consisting of alternating Si and Ge amorphous nanolayers were annealed by ultrashort laser pulses at near-infrared (1030 nm) and mid-infrared (1500 nm) wavelengths. In this paper, we investigate the effects of the type of substrate (Si or glass), and the number of laser pulses (single-shot and multi-shot regimes) on the crystallization of the layers. Based on structural Raman spectroscopy analysis, several annealing regimes were revealed depending on laser fluence, including partial or complete crystallization of the components and formation of solid Si–Ge alloys. Conditions for selective crystallization of germanium when Si remains amorphous and there is no intermixing between the Si and Ge layers were found. Femtosecond mid-IR laser annealing appeared to be particularly favorable for such selective crystallization.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2024
    Elektronická adresahttps://hdl.handle.net/11104/0342818
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.