Počet záznamů: 1
Field emission properties of sharp tungsten cathodes coated with a thin resilient oxide barrier
- 1.
SYSNO ASEP 0554500 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Field emission properties of sharp tungsten cathodes coated with a thin resilient oxide barrier Tvůrce(i) Burda, Daniel (UPT-D)
Allaham, Mohammad M. (UPT-D)
Knápek, Alexandr (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Sobola, Dinara (UPT-D)
Mousa, M. S. (JO)Celkový počet autorů 7 Zdroj.dok. 2021 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC). - New York : IEEE, 2021 / Purcell S. ; Mazellier J.-P. - ISSN 2380-6311 - ISBN 978-1-6654-2589-6 Rozsah stran (2021), s. 178-179 Edice International Vacuum Nanoelectronics Conference Poč.str. 2 s. Forma vydání Online - E Akce International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) /34./ Datum konání 05.07.2021 - 09.07.2021 Místo konání online Země FR - Francie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova field electron microscopy ; electrochemical etching ; tungsten single tip field emitter ; atomic layer deposition ; Al2O3 nanolayer ; Murphy-Good plot Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP VI20192022147 GA MV - Ministerstvo vnitra Výzkumná infrastruktura CzechNanoLab - 90110 - Vysoké učení technické v Brně Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 UT WOS 000742045500077 EID SCOPUS 85123351595 DOI 10.1109/IVNC52431.2021.9600704 Anotace This research is aimed towards more in-depth understanding of field emission properties of tungsten single tip field emitters (STFEs) coated with tens of nanometer thin barrier of selected refractory oxides such as Al2O3. Introducing the additional barrier into metal-vacuum interface system of the emitter can be beneficial for an improvement of its performance. The pristine tungsten emitters were prepared using a two-step electrochemical drop-off etching technique. Thin oxide barriers were prepared by using low-temperature atomic layer deposition (ALD). Field emission was studied in field emission microscope (FEM) working in UHV vacuum (< 1x10(-7) Pa), experimental field emission data were analyzed by the so-called Murphy-Good plots, revealing the non-orthodox behavior of the prepared emitters. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://ieeexplore.ieee.org/document/9600704
Počet záznamů: 1