Počet záznamů: 1
SIMS studies of MOVPE GaN/InGaN scintilator nano-structures
- 1.
SYSNO ASEP 0539244 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název SIMS studies of MOVPE GaN/InGaN scintilator nano-structures Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Bábor, P. (CZ)Celkový počet autorů 5 Zdroj.dok. Proceedings of Abstracts - Nanocon 2019. - Ostrava : Tanger Ltd., 2019 / Shrbená-Váňová J. - ISBN 978-80-87294-94-9
S. 81-81Poč.str. 1 s. Forma vydání Online - E Akce Nanocon 2019 International Conference on Nanomaterials - Research & Application /11./ Datum konání 16.10.2019 - 18.10.2019 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova SIMS ; InGaN/GaN heterostructure ; scintillators ; MOVPE Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis is a powerful tool for determination material composition and impurity concentration at different parts of structure with a several nm resolution and down to 10E16 cm-3 for many elements. We can estimate the thickness of nanostructure layer and exactly measure their periodicity. Optimization of the SIMS technique can improve our results. Measuring the impurity concentration profiles close to surface, we can estimate surface roughness, in our case the V-pits depth. We can measure impurity concentration profiles with high accuracy. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021
Počet záznamů: 1