Počet záznamů: 1
Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE): Growth, materials properties, and applications
- 1.
SYSNO ASEP 0522011 Druh ASEP M - Kapitola v monografii Zařazení RIV C - Kapitola v knize Název Quantum dots Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Zíková, Markéta (FZU-D) RIDCelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE): Growth, materials properties, and applications. - Chichester : John Wiley & Sons Ltd., 2019 / Capper P. ; Irvine S. - ISBN 9781119313014 Rozsah stran s. 175-216 Poč.str. 42 s. Poč.str.knihy 584 Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova MOVPE ; quantum dots ; growth parameters ; self-assembled Starnski-Krastanov Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 DOI 10.1002/9781119313021.ch6 Anotace This chapter focuses on quantum dots (QDs) embedded inside a semiconductor structure. It talks about metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) QD preparation only. One can distinguish QD types according to growth modes, growth procedures, materials used, and structures with strain‐reducing layers, types of interfaces, and spatial arrangement of QDs (uncoordinated, array, and single/individual QDs). The three main growth technological procedures used for MOVPE preparation of QDs embedded in the structure are self‐assembled Stranski–Krastanov (SK) growth mode, formation of QDs in prepatterned inverted pyramids, and droplet epitaxy. The most widely used procedure is self‐assembling of QDs in SK growth mode. MOVPE growth parameters such as growth temperature, material type of precursors, reactor pressure, precursor flow ratio, total pressure and flow, complex purity of materials, precursors, and reactor setup can strongly influence the structure and device parameters, as well.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1