Počet záznamů: 1
Investigation of MOVPE-grown zincblende GaN nucleation layers on 3C-SiC/Si substrates
- 1.
SYSNO 0509851 Název Investigation of MOVPE-grown zincblende GaN nucleation layers on 3C-SiC/Si substrates Tvůrce(i) Lee, L.Y. (GB)
Frentrup, M. (GB)
Vacek, Petr (UFM-A) ORCID, RID
Massabuau, Fabien C. P. (GB)
Kappers, Menno J. (GB)
Wallis, David J. (GB)
Oliver, Rachel A. (GB)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 524, OCT (2019). - : Elsevier Číslo článku 125167 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant EF16_027/0008056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora UFM-A - RVO:68081723 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova Atomic force microscopy * Nucleation * X-ray diffraction * Metalorganic vapor phase epitaxy * Nitrides * Semiconducting gallium compounds URL https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024819303823?via%3Dihub Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0300844
Počet záznamů: 1