Počet záznamů: 1
Investigation of MOVPE-grown zincblende GaN nucleation layers on 3C-SiC/Si substrates
- 1.Lee, L.Y. - Frentrup, M. - Vacek, Petr - Massabuau, Fabien C. P. - Kappers, Menno J. - Wallis, David J. - Oliver, Rachel A.
Investigation of MOVPE-grown zincblende GaN nucleation layers on 3C-SiC/Si substrates.
Journal of Crystal Growth. Roč. 524, OCT (2019), č. článku 125167. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 1.632, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024819303823?via%3Dihub
http://hdl.handle.net/11104/0300844
Počet záznamů: 1