Počet záznamů: 1  

Deformation of thin self-standing mask at inhomogeneous irradiation.

  1. 1.
    SYSNO ASEP0484974
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVO - Ostatní
    NázevDeformation of thin self-standing mask at inhomogeneous irradiation.
    Tvůrce(i) Koláček, Karel (UFP-V) RID
    Schmidt, Jiří (UFP-V) RID
    Frolov, Oleksandr (UFP-V) RID
    Štraus, Jaroslav (UFP-V) RID
    Chalupský, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
    Choukourov, A. (CZ)
    Číslo článkuO-09
    Zdroj.dok.Proceedings of the 3rd International Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications, 3rd IW FX & XUVOA. - Prague : Institute of Plasma Physics Czech Academy of Sciences, 2017 / Koláček K. ; Sobota J. - ISBN 978-80-870026-09-0
    Poč.str.24 s.
    Forma vydáníNosič - C
    AkceInternational Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications 2017, 3rd IW FX & XUVOA /3./
    Datum konání04.10.2017 - 06.10.2017
    Místo konáníPrague
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovainteraction of XUV radiation with solid surface ; nanostructuring ; nanopatterning ; XUV diffraction
    Vědní obor RIVBH - Optika, masery a lasery
    Obor OECDOptics (including laser optics and quantum optics)
    Vědní obor RIV – spolupráceFyzikální ústav - Optika, masery a lasery
    CEPLG15013 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaUFP-V - RVO:61389021 ; FZU-D - RVO:68378271
    AnotaceFlatness of the mask is one of key features influencing the quality of image. Among factors that can affect mask flatness belongs inhomogeneous illumination. This does not apply to lithography, but to experiments that use only discrete parts of mask e.g. for nanostructuring or other type of material research. It is shown that even single EUV laser shot (laser wavelength ~46.9 nm, pulse duration ~1.5 ns, focused pulse energy ~20 .mu.J, peak fluency 48 J/cm2) not only deforms the mask, but also changes mask-substrate distance. In our case two kinds of grids (one circular with rectangular windows 7.5x7.5 μm and bars 5 micro m (period 12.5x12.5 micro m), other rectangular with rectangular windows 3.2x1.2 μm and bars 0.8 micro m (period 4x2 micro m)) were attached to PMMA substrate and exposed to one or five superimposed focused laser shots. The mask (grid) deformation was inferred from the changes of diffraction pattern engraved into PMMA.
    PracovištěÚstav fyziky plazmatu
    KontaktVladimíra Kebza, kebza@ipp.cas.cz, Tel.: 266 052 975
    Rok sběru2018
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.