Počet záznamů: 1
Deformation of thin self-standing mask at inhomogeneous irradiation.
- 1.
SYSNO ASEP 0484974 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV O - Ostatní Název Deformation of thin self-standing mask at inhomogeneous irradiation. Tvůrce(i) Koláček, Karel (UFP-V) RID
Schmidt, Jiří (UFP-V) RID
Frolov, Oleksandr (UFP-V) RID
Štraus, Jaroslav (UFP-V) RID
Chalupský, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
Choukourov, A. (CZ)Číslo článku O-09 Zdroj.dok. Proceedings of the 3rd International Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications, 3rd IW FX & XUVOA. - Prague : Institute of Plasma Physics Czech Academy of Sciences, 2017 / Koláček K. ; Sobota J. - ISBN 978-80-870026-09-0 Poč.str. 24 s. Forma vydání Nosič - C Akce International Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications 2017, 3rd IW FX & XUVOA /3./ Datum konání 04.10.2017 - 06.10.2017 Místo konání Prague Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova interaction of XUV radiation with solid surface ; nanostructuring ; nanopatterning ; XUV diffraction Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) Vědní obor RIV – spolupráce Fyzikální ústav - Optika, masery a lasery CEP LG15013 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora UFP-V - RVO:61389021 ; FZU-D - RVO:68378271 Anotace Flatness of the mask is one of key features influencing the quality of image. Among factors that can affect mask flatness belongs inhomogeneous illumination. This does not apply to lithography, but to experiments that use only discrete parts of mask e.g. for nanostructuring or other type of material research. It is shown that even single EUV laser shot (laser wavelength ~46.9 nm, pulse duration ~1.5 ns, focused pulse energy ~20 .mu.J, peak fluency 48 J/cm2) not only deforms the mask, but also changes mask-substrate distance. In our case two kinds of grids (one circular with rectangular windows 7.5x7.5 μm and bars 5 micro m (period 12.5x12.5 micro m), other rectangular with rectangular windows 3.2x1.2 μm and bars 0.8 micro m (period 4x2 micro m)) were attached to PMMA substrate and exposed to one or five superimposed focused laser shots. The mask (grid) deformation was inferred from the changes of diffraction pattern engraved into PMMA. Pracoviště Ústav fyziky plazmatu Kontakt Vladimíra Kebza, kebza@ipp.cas.cz, Tel.: 266 052 975 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1