Počet záznamů: 1
The structural and optical properties of metal ion-implanted GaN
- 1.
SYSNO ASEP 0459130 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název The structural and optical properties of metal ion-implanted GaN Tvůrce(i) Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Sofer, Z. (CZ)
Šimek, P. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Veselý, M. (CZ)
Bottger, R. (DE)Celkový počet autorů 7 Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. - : Elsevier - ISSN 0168-583X
Roč. 371, MAR (2016), s. 254-257Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 22nd International conference on Ion Beam Analysis (IBA) Datum konání 14.06.2015 - 19.06.2015 Místo konání Opatija Země HR - Chorvatsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova RBS channelling ; metal-implanted GaN ; structural changes Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEP LM2011019 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA15-01602S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000373412000049 EID SCOPUS 84960349335 DOI 10.1016/j.nimb.2015.10.015 Anotace he practical development of novel optoelectronic materials with appropriate optical properties is strongly connected to the structural properties of the prepared doped structures. We present GaN layers oriented along the (0001) crystallographic direction that have been grown by low-pressure metal-organic vapour-phase epitaxy (MOVPE) on sapphire substrates implanted with 200 keV Co+, Fe+ and Ni+ ions. The structural properties of the ion-implanted layers have been characterised by RBS-channelling and Raman spectroscopy to obtain a comprehensive insight into the structural modification of implanted GaN layers and to study the subsequent influence of annealing on crystalline-matrix recovery. Photoluminescence was measured to control the desired optical properties. The post-implantation annealing induced the structural recovery of the modified GaN layer depending on the introduced disorder level, e.g. depending on the ion implantation fluence, which was followed by structural characterisation and by the study of the surface morphology by AFM. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1