Influence of diamond CVD growth conditions and interlayer material on diamond/GaN interface

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0450412
Název	Influence of diamond CVD growth conditions and interlayer material on diamond/GaN interface
Tvůrce(i)	Ižák, Tibor (FZU-D)_RID Babchenko, Oleg (FZU-D)_{RID, ORCID} Jirásek, Vít (FZU-D)_RID Vanko, G. (SK) Vojs, M. (SK) Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Silicon Carbide and Related Materials 2014. S. 982-985. - Pfaffikon : Trans Tech Publications, 2015 / Chaussende D. ; Ferro G.
Konference	Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2014), Grenoble, 21.09.2014-25.09.2014
Druh dok.	Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grant	GP14-16549P GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CH
Klíč.slova	polycrystalline diamond film * GaN substrate * microwave CVD * passivation layer * Raman spectroscopy * SEM
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0251698

Počet záznamů: 1