Počet záznamů: 1
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements
- 1.
SYSNO ASEP 0303985 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Pekárek, Ladislav (FZU-D)
Procházková, Olga (URE-Y)
Kacerovský, Pavel (URE-Y)Rok vydání 2002 Zdroj.dok. Book of Abstracts EXMATEC'2002
s. 82-83Poč.str. 2 s. Akce EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./ Druh akce W - Workshop Datum konání 26.05.2002-29.05.2002 Místo konání Budapest Země HU - Maďarsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. HU - Maďarsko Klíč. slova semiconductor materials ; luminescence Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace Crystals of intentionally undoped n-type InP and Mn doped p-type InP were grown. As grown crystals and those processed by high temperature annealing were studied by photoluminescence and temperature dependent Hall measurements. A new broad band was observed in those undoped InP samples which were converted to semi-insulating state by annealing. Hall measurements on those samples show that the semi-insulating state is caused by deep level defects of the same energy as the binding energy of the Fe impurity. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2003
Počet záznamů: 1