Počet záznamů: 1  

Surface-related 2D conductivity of nanocrystalline diamond in-plane nanowires

  1. 1.
    SYSNO ASEP0391798
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevSurface-related 2D conductivity of nanocrystalline diamond in-plane nanowires
    Tvůrce(i) Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
    Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
    Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
    Verveniotis, Elisseos (FZU-D) RID
    Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Zdroj.dok.Proceedings of the International Workshop on Diamond Nanotechnology and Science Progress - DINAS 2011. - Prague : Institute of Physics ASCR, 2012 / Rezek B. ; Kromka A. - ISBN 978-80-260-1593-2
    Rozsah strans. 16-17
    Poč.str.2 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    AkceInternational Workshop on Diamond Nanotechnology and Science Progress
    Datum konání15.06.2011-17.06.2011
    Místo konáníPrague
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovananocrystalline diamond ; nanowires ; 2D conductivity ; SEM ; AFM
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    AnotaceDiamond is an attractive material for nanoelectronics, biological interfaces and electrical transducers. Small device dimensions are highly demanded for higher sensitivity, parallelism, remote sensing and reduced costs. Recently we have demonstrated that directly grown nanocrystalline diamond micro-channels (down to 5 um widths) are feasible and fully operational as field-effect transistors using H-terminated surface conductivity.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2014
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.