Počet záznamů: 1
On the magnetic properties of Gd implanted GaN
- 1.
SYSNO ASEP 0313793 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název On the magnetic properties of Gd implanted GaN Překlad názvu O magnetických vlastnostech Gd implantovaného GaN Tvůrce(i) Hejtmánek, J. (CZ)
Knížek, K. (CZ)
Maryško, M. (CZ)
Jirák, Z. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Sofer, Z. (CZ)
Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
Hardtdegen, H. (DE)
Buchal, C. (DE)Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 103, č. 7 (2008), 07D107/1-07D107/3Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova GaN ; Curie-type ; FM Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) UT WOS 000255043200387 DOI 10.1063/1.2830644 Anotace The wurzite type gallium nitride doped by gadolinium, Ga1-xGdxN (x similar to 0.01-0.07), was prepared by Gd ion implantation of the parent GaN thin films deposited on sapphire substrates. The material obtained exhibits a weak ferromagnetism (FM) persisting up to 700 K. At higher Gd concentrations, the minute FM component coexists with much more pronounced Curie-type paramagnetism. In a dilute limit (x <= 0.01), the latter part is substantially reduced and the saturated FM moment reaches the value M similar to 2 mu(B)/Gd atom. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1