Počet záznamů: 1
Electrochemistry and band structure of semiconductors (TiO2, SnO2, ZnO): Avoiding pitfalls and textbook errors
- 1.
SYSNO ASEP 0580509 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve SCOPUS Název Electrochemistry and band structure of semiconductors (TiO2, SnO2, ZnO): Avoiding pitfalls and textbook errors Tvůrce(i) Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID Zdroj.dok. Journal of Solid State Electrochemistry. - : Springer - ISSN 1432-8488
Roč. 28, JAN 2024 (2024), s. 829-845Poč.str. 17 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova Titanium dioxide ; Tin dioxide ; Zinc oxide Vědní obor RIV CG - Elektrochemie Obor OECD Electrochemistry (dry cells, batteries, fuel cells, corrosion metals, electrolysis) CEP GA22-24138S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Open access Institucionální podpora UFCH-W - RVO:61388955 EID SCOPUS 85181520670 DOI 10.1007/s10008-023-05770-w Anotace This paper reviews selected problems, which appear in literature dealing with TiO2, SnO2, and ZnO. Some of them have more universal impact to semiconductor electrochemistry. The electronic band structure is a key for understanding fundamental properties and for rational design of applications, but the uncertainty of specific values determined experimentally or by theoretical calculations should not be ignored. The inappropriate use of Mott-Schottky plot for characterization of certain semiconductor electrodes is another source of problems. Some other technical and formal issues in research and development of semiconductors are discussed. Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2025 Elektronická adresa https://link.springer.com/article/10.1007/s10008-023-05770-w
Počet záznamů: 1