Počet záznamů: 1
Non-thermal regimes of laser annealing of semiconductor nanostructures: crystallization without melting
- 1.
SYSNO ASEP 0577954 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Non-thermal regimes of laser annealing of semiconductor nanostructures: crystallization without melting Tvůrce(i) Mirza, M. Inam (FZU-D) ORCID
Bulgakov, Alexander (FZU-D) ORCID
Sopha, H. (CZ)
Starinskiy, S.V. (RU)
Turčičová, Hana (FZU-D) RID, ORCID
Novák, Ondřej (FZU-D) RID, ORCID
Mužík, Jiří (FZU-D) ORCID
Smrž, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Volodin, V.A. (RU)
Mocek, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Macák, J. M. (CZ)
Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCIDCelkový počet autorů 12 Číslo článku 1271832 Zdroj.dok. Frontiers in nanotechnology - ISSN 2673-3013
Roč. 5, Oct. (2023)Poč.str. 12 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova amorphous titania nanotubes ; ultrashort laser pulses ; laser-induced crystallization ; non-thermal processes ; stress waves ; multilayer nanofilms ; selective annealing Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) CEP EF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF15_006/0000674 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 001091760100001 EID SCOPUS 85175694432 DOI 10.3389/fnano.2023.1271832 Anotace As-prepared nanostructured semiconductor materials are usually found in an amorphous form,which needs to be converted into a crystalline one for improving electronic properties and achieving enhanced application functionalities.The most utilized method is thermal annealing in a furnace,which however is time- and energy-consuming and not applicable for low-temperature melting substrates.An alternative is laser annealing,which can be carried out in a relatively short time and,additionally,offers the possibility of annealing localized areas.However,laser-annealed nanostructures are often distorted by melting,while preserving the as-prepared morphology is essential for practical applications.We analyze conditions of non-thermal ultrafast laser annealing of two kinds of nanostructures:anodic TiO2 nanotube layers and Ge/Si multilayer stacks.For both cases,regimes of crystallization have been found,which yield in preserving the initial nanomaterial morphologies without any melting signs.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2024 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0347032
Počet záznamů: 1