Počet záznamů: 1
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
- 1.
SYSNO 0542725 Název Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells Tvůrce(i) Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Horešovský, Robert (FZU-D)
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCIDKorespondující/senior Hájek, František - Korespondující autor Zdroj.dok. Journal of Luminescence. Roč. 236, Aug (2021). - : Elsevier Číslo článku 118127 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika FW03010298 GA TA ČR - Technologická agentura ČR, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova nitrides * impurity * SIMS * InGaN/GaN URL http://hdl.handle.net/11104/0320090 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0320090 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0542725.pdf 4 1 MB Autorský postprint povolen
Počet záznamů: 1