Počet záznamů: 1
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
- 1.
SYSNO ASEP 0542725 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells Tvůrce(i) Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Horešovský, Robert (FZU-D)
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 8 Číslo článku 118127 Zdroj.dok. Journal of Luminescence. - : Elsevier - ISSN 0022-2313
Roč. 236, Aug (2021)Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova nitrides ; impurity ; SIMS ; InGaN/GaN Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy FW03010298 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Způsob publikování Open access s časovým embargem (31.08.2023) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000663095100002 EID SCOPUS 85104287517 DOI 10.1016/j.jlumin.2021.118127 Anotace Zn contamination of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure from unknown source is found. A model describing concentration profile of Zn acceptor impurity in InGaN/GaN MQW structure is introduced and compared to measured values. The model is based on difference among the formation energies of acceptors in the InGaN quantum wells. A nice correlation of the model and experimental data helps to reveal origin of Zn impurity in InGaN quantum wells. Proposed methodology can be applied to different acceptor-like defects and shine light the upon enigma of high defect concentration in the bottom quantum wells grown atop the n-type buffer layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0320090
Počet záznamů: 1