Počet záznamů: 1
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
SYS 0542725 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103225837.7 014 $a 85104287517 $2 SCOPUS 014 $a 000663095100002 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.jlumin.2021.118127 $2 DOI 100 $a 20210526d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a NL 200 1-
$a Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257004 $1 011 $a 0022-2313 $e 1872-7883 $1 200 1 $a Journal of Luminescence $v Roč. 236, Aug (2021) $1 210 $c Elsevier 610 $a nitrides 610 $a impurity 610 $a SIMS 610 $a InGaN/GaN 700 -1
$3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $p FZU-D $i Dielektrika $j Dielectrics $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0372271 $a Horešovský $b Robert $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 856 $u http://hdl.handle.net/11104/0320090 $9 RIV
Počet záznamů: 1