Počet záznamů: 1
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
- 1.HÁJEK, F., HOSPODKOVÁ, A., HUBÁČEK, T., OSWALD, J., PANGRÁC, J., DOMINEC, F., HOREŠOVSKÝ, R., KULDOVÁ, K. Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells. Journal of Luminescence. 2021, 236(Aug), 118127. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jlumin.2021.118127.
Počet záznamů: 1