Počet záznamů: 1
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
- 1.HÁJEK, František, HOSPODKOVÁ, Alice, HUBÁČEK, Tomáš, OSWALD, Jiří, PANGRÁC, Jiří, DOMINEC, Filip, HOREŠOVSKÝ, Robert, KULDOVÁ, Karla. Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells. Journal of Luminescence. 2021, 236(Aug), 118127. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jlumin.2021.118127.
Počet záznamů: 1