Počet záznamů: 1  

Atomic layer deposited films of Al2O3 on fluorine-doped tin oxide electrodes: stability and barrier properties

  1. 1.
    SYSNO ASEP0539267
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevAtomic layer deposited films of Al2O3 on fluorine-doped tin oxide electrodes: stability and barrier properties
    Tvůrce(i) Krýsová, Hana (UFCH-W) RID, ORCID
    Neumann-Spallart, M. (CZ)
    Tarábková, Hana (UFCH-W) RID, ORCID
    Janda, Pavel (UFCH-W) RID, ORCID
    Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID
    Krýsa, J. (CZ)
    Zdroj.dok.Beilstein Journal of Nanotechnology. - : Beilstein - Institut zur Foerderung der Chemischen Wissenschaften - ISSN 2190-4286
    Roč. 12, JAN 2021 (2021), s. 24-34
    Poč.str.11 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovaAl2O3 ; atomic layer deposition ; corrosion
    Vědní obor RIVCG - Elektrochemie
    Obor OECDElectrochemistry (dry cells, batteries, fuel cells, corrosion metals, electrolysis)
    CEPGA20-11635S GA ČR - Grantová agentura ČR
    LM2018124 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaUFCH-W - RVO:61388955
    UT WOS000618558200001
    EID SCOPUS85099882753
    DOI10.3762/bjnano.12.2
    AnotaceAl2O3 layers were deposited onto electrodes by atomic layer deposition. Solubility and electron-transport blocking were tested. Films deposited onto fluorine-doped tin oxide (FTO, F:SnO2/glass) substrates blocked electron transfer to redox couples (ferricyanide/ferrocyanide) in aqueous media. However, these films were rapidly dissolved in 1 M NaOH (≈100 nm/h). The dissolution was slower in 1 M H2SO4 (1 nm/h) but after 24 h the blocking behaviour was entirely lost. The optimal stability was reached at pH 7.2 where no changes were found up to 24 h and even after 168 h of exposure the changes in the blocking behaviour were still minimal. This behaviour was also observed for protection against direct reduction of FTO.
    PracovištěÚstav fyzikální chemie J.Heyrovského
    KontaktMichaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196
    Rok sběru2022
    Elektronická adresahttp://hdl.handle.net/11104/0316945
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.