Počet záznamů: 1  

Ion Beam Sputtering for Controlled Synthesis of Thin MAX (MXene) Phases

  1. 1.
    SYSNO ASEP0517818
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVO - Ostatní
    NázevIon Beam Sputtering for Controlled Synthesis of Thin MAX (MXene) Phases
    Tvůrce(i) Horák, Pavel (UJF-V) RID, ORCID
    Vacík, Jiří (UJF-V) RID, ORCID, SAI
    Bakardjieva, Snejana (UACH-T) SAI, RID, ORCID
    Cannavó, Antonino (UJF-V) ORCID, SAI
    Ceccio, Giovanni (UJF-V) ORCID, RID, SAI
    Kupčík, Jaroslav (UACH-T) SAI, RID, ORCID
    Klie, R. (US)
    Celkový počet autorů7
    Zdroj.dok.Microscopy and Microanalysis. - : Cambridge University Press - ISSN 1431-9276
    Roč. 25, S2 (2019), s. 1626-1627
    Poč.str.2 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    AkceMicroscopy & Microanalysis 2019 Meeting
    Datum konání04.08.2019 - 08.08.2019
    Místo konáníPortland
    ZeměUS - Spojené státy americké
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaion beam sputtering ; LEIF
    Vědní obor RIVBG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
    Obor OECDNuclear physics
    Vědní obor RIV – spolupráceÚstav anorganické chemie - Anorganická chemie
    CEPLM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    LTAUSA17128 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaUACH-T - RVO:61388980 ; UJF-V - RVO:61389005
    DOI10.1017/S1431927619008869
    AnotaceIn the CANAM research infrastructure of the NPI in Rez, a new system (LEIF – Low Energy Ion Facility) has been recently assembled utilizing a new-type of a multi-CUSP ion source. It can produce ions in a broad, tunable energy range 100 eV - 35 keV with a high current up to 500 uA. This system was adapted to employ an IBS technique, and it is also used for ion irradiation/implantation (in an implantation chamber) with high fluences up to 1020 cm-2 . In the process of ion beam sputtering, the targets are mounted on a cooled Cu holder,. In the case of a multiphase composite synthesis, the target holder acquires a multi-angle form that is revolving according the required stoichiometric ratio and sputtering/deposition rates of the phases. For promotion of the phase synthesis, the substrates are fixed on a heated platform and kept at elevated temperatures.
    PracovištěÚstav jaderné fyziky
    KontaktMarkéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228
    Rok sběru2020
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.