Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0501495
Název	Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Vetushka, Aliaksi (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	ICMOVPE XIX - Technical Digest. S. 147-147. - Nara : Japanese Association for Crystal Growth, 2018 / Miyake H.
Konference	19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - ICMOVPE XIX, 03.06.2018 - 08.06.2018, Nara
Druh dok.	Abstrakt
Grant	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	690599, XE - země EU
	GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	JP
Klíč.slova	GaN buffer layer * scintillators * low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN QWs
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0293517

Počet záznamů: 1