Počet záznamů: 1
Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature
- 1.
SYSNO ASEP 0501495 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. ICMOVPE XIX - Technical Digest. - Nara : Japanese Association for Crystal Growth, 2018 / Miyake H.
S. 147-147Poč.str. 1 s. Forma vydání Online - E Akce 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - ICMOVPE XIX Datum konání 03.06.2018 - 08.06.2018 Místo konání Nara Země JP - Japonsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. JP - Japonsko Klíč. slova GaN buffer layer ; scintillators ; low dimensional structures ; V-pits ; metalorganic vapor phase epitaxy ; InGaN/GaN QWs Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Fast response of scintillators based on InGaN/GaN multiple quantum wells is compromised by slower luminescence defect band of unknown origin. SIMS analysis suggests that impurities concentrate in the quantum-well region, due to a drop in growth temperature. Using MOVPE we have prepared a set of samples with additional low-temperature buffer GaN layers to keep the impurities farther from the quantum wells. Our spectroscopic measurements have confirmed that this modification indeed results in enhancement of the fast luminescence component and reduction of the slow one. AFM images for two samples that differ mostly by morphology however points to another explanation, with formation of larger V-pits being the main reason for the luminescence improvement. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1